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Semiconductor quality

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金屬化運行

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很多的晶片金屬化在同一時間。晶片容納蒸發 (亦即,金屬化) 分庭的數目是經常少於晶片容納擴散分庭的數目,這是可能有多個金屬化運行來自運行相同的晶圓片。 ...

微裂紋

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金屬或其它材料的半導體器件,通常不檢出使用光學放大內很小的裂縫。金屬化地區微裂紋最通常發生在接觸的步驟。微裂紋可能導致電路不連續性。

寄生設備或元素

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彌漫的電路元件之間的互動。寄生的 A 好例子就是收集器系列電阻 (寄宿) 電晶體和相關聯的電容的收集器-基交界處。其實,埋層用於減少收集器阻力擴散 N + 。性質的電流半導體技術,也就無法消除這些寄生效應。凡很重要,對他們的電路上的影響,或電路設計,利用這些寄生藥物時,它們顯示在示意圖上。 ...

粒子計數

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氣體或液體的清潔度,通常每立方英尺的部分中所述的測量比例。例如,類 10 工作區域會之一,其中載有不超過 10 粒子大於一微米大小每立方尺的空氣中。 ...

鈍化

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模 (通常熱種植二氧化矽,Si02) 通過哪些連絡人和擴散打開 windows 的表面塗層。

運行壽命

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燒傷中 (即,接觸高溫應用電氣偏) 執行擴展的持續時間 (通常在 125 ° C 的一千小時)。通常樣本測試。

氧化隔離

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分離的電路元件在半導體設備通過建設的屏障氧化之間的元素 (不要混淆的隔離完全下穿過電路元件的介質隔離。

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