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National Semiconductor Corporation
Industry: Semiconductors
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Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
半導体デバイスのグラシベーション層に小さな亀裂の伝播。
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An impurity that can make a semiconductor N-type by donating extra "free" electrons to the conduction band. The free electrons are carriers of negative charge.
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L'introduzione di impurità nel reticolo cristallino di un semiconduttore a modificare le sue proprietà elettriche creando una concentrazione di portatori N o P.
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Un dispositivo di memoria cui contenuto può essere stabilita attraverso un processo di programmazione (solitamente il tunneling di elettroni attraverso un sottile strato di biossido di silicio, un Gate flottante. Ogni cella di memoria di una EEPROM può essere cancellato individualmente imponendo una tensione per invertire il flusso di elettroni per spostarli lontano dal cancello galleggiante. Che la cella può quindi essere riprogrammata. Programmazione e la cancellazione può essere effettuate senza rimozione del dispositivo dal sistema in cui viene utilizzato.
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Una lega di due o più metalli con il più basso punto di fusione è possibile da qualsiasi combinazione di tali metalli. Il punto di fusione dell'eutettico normalmente sarebbe inferiore al punto di fusione di qualsiasi metallo allo stato puro.
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Una parte topograficamente distinguibile di un microcircuito che contribuisce direttamente alle sue caratteristiche elettriche.
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The process of encapsulating or "potting" a molded device.
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Un dispositivo di memoria cui contenuto può essere stabilita attraverso un processo di programmazione (iniezione elettronica solitamente caldo) e può essere cancellato completamente dall'esposizione alla luce ultravioletta per lunghi periodi (in genere 30 minuti). Quando correttamente cancellato, il dispositivo può essere riprogrammato.
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Uno dei passi finali nell'elaborazione di un wafer durante il quale metallo conduttivo, solitamente in alluminio, viene depositato sulla superficie del wafer al fine di garantire l'interconnessione elettrica dei vari elementi attivi su ogni die. Metallizzazione può essere effettuata anche mediante sputtering.
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Le interfacce che costituiscono un componente o sistema e gli elementi fisici.
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